4H सेमी-इन्सुलेटिंग SiC वेफर

सेमी{0}}इन्सुलेटिंग SiC सब्सट्रेट उच्च प्रतिरोधकता और उत्कृष्ट थर्मल गुण प्रदान करते हैं, जो उन्हें GaN हेटेरोएपिटैक्सियल विकास और उच्च आवृत्ति आरएफ सेमीकंडक्टर अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाते हैं। उच्च प्रदर्शन वाले SiC सब्सट्रेट के रूप में, इसका व्यापक रूप से 5G बुनियादी ढांचे सहित उन्नत संचार प्रणालियों में HEMT आधारित उपकरणों के लिए उपयोग किया जाता है। ये सेमी इन्सुलेट SiC वेफर्स उत्कृष्ट ऑप्टिकल और भौतिक गुण भी प्रदान करते हैं, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और पहनने योग्य इलेक्ट्रॉनिक्स में उभरते अनुप्रयोगों का समर्थन करते हैं और पहनने योग्य इलेक्ट्रॉनिक्स में उभरते अनुप्रयोगों का समर्थन करते हैं। इंच SiC सब्सट्रेट अगली पीढ़ी के अनुप्रयोगों जैसे AR ग्लास और अन्य उन्नत ऑप्टिकल उपकरणों के लिए क्षमता प्रदान करते हैं।