4H P-प्रकार SiC वेफर

4H P-प्रकार SiC वेफर

P-प्रकार SiC सबस्ट्रेट्स को होमोएपिटैक्सियल विकास और अल्ट्रा{{1}हाई-वोल्टेज पावर सेमीकंडक्टर उपकरणों के विकास के लिए डिज़ाइन किया गया है। उत्कृष्ट विद्युत और थर्मल विशेषताओं के साथ, यह उच्च {{4}प्रदर्शन SiC सब्सट्रेट उच्च {{5}पावर अनुप्रयोगों की मांग के लिए उपयुक्त है, जिसमें अल्ट्रा{6}उच्च{7}वोल्टेज पावर ट्रांसमिशन और स्मार्ट ग्रिड इंफ्रास्ट्रक्चर शामिल है। ये P{9}प्रकार SiC वेफर्स रेल ट्रांजिट, औद्योगिक पावर सिस्टम और अन्य उच्च {10}शक्ति विद्युत उपकरणों में अनुप्रयोगों का भी समर्थन करते हैं जहां उच्च {{11}वोल्टेज क्षमता, विश्वसनीयता और कुशल बिजली रूपांतरण की आवश्यकता होती है।
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विवरण
तकनीकी पैरामीटर

 

उत्पाद परिचय

 

 

P-प्रकार SiC सबस्ट्रेट्स को होमोएपिटैक्सियल विकास और अल्ट्रा{{1}हाई-वोल्टेज पावर सेमीकंडक्टर उपकरणों के विकास के लिए डिज़ाइन किया गया है। उत्कृष्ट विद्युत और तापीय विशेषताओं के साथ, यह उच्च प्रदर्शनSiC सब्सट्रेटअल्ट्रा{1}हाई{{2}वोल्टेज पावर ट्रांसमिशन और स्मार्ट ग्रिड इन्फ्रास्ट्रक्चर सहित, उच्च{0}पावर अनुप्रयोगों की मांग के लिए उपयुक्त है।

 

ये P-प्रकार के हैंSiC वेफर्सरेल ट्रांजिट, औद्योगिक बिजली प्रणालियों और अन्य उच्च {{0}शक्ति विद्युत उपकरणों में अनुप्रयोगों का भी समर्थन करता है जहां उच्च {{1}वोल्टेज क्षमता, विश्वसनीयता और कुशल बिजली रूपांतरण की आवश्यकता होती है।

 

 

विशेष विवरण

 

 

 

product-1-1

 

6 इंच
व्यास 150.0मिमी+0मिमी/-0.2मिमी
भूतल अभिविन्यास 4 डिग्री की ओर<1120>±0.5 डिग्री
प्राथमिक समतल लंबाई 47.5मिमी±1.5मिमी
प्राथमिक फ्लैट अभिविन्यास <1120>±5.0 डिग्री
नॉच ओरिएंटेशन /
पायदान कोण /
पायदान गहराई /
मोटाई 350.0um±25.0um
बहुप्रकार 4H
प्रकार पी-टाइप करें

 

 

 

 

 

8 इंच
व्यास 200.0मिमी+0मिमी/-0.2मिमी
भूतल अभिविन्यास 4 डिग्री की ओर<1120>±0.5 डिग्री
प्राथमिक समतल लंबाई निशान
प्राथमिक फ्लैट अभिविन्यास /
नॉच ओरिएंटेशन <1100>±1.0 डिग्री
पायदान कोण 90 डिग्री +5 डिग्री/-1 डिग्री
पायदान गहराई 1.0मिमी+0.25मिमी/-0मिमी
मोटाई 350.0um±25.0um
बहुप्रकार 4H
प्रकार पी-टाइप करें

 

product-1-1

 

 

 

product-1-1
12 इंच
व्यास 300.0मिमी±0.5मिमी
भूतल अभिविन्यास 4 डिग्री की ओर<1120>±0.5 डिग्री
प्राथमिक समतल लंबाई निशान
प्राथमिक फ्लैट अभिविन्यास /
नॉच ओरिएंटेशन <1100>±5.0 डिग्री
पायदान कोण 90 डिग्री +5 डिग्री/-1 डिग्री
पायदान गहराई 1.0मिमी+0.25मिमी/-0मिमी
मोटाई 750.0um±25.0um
बहुप्रकार 4H
प्रकार पी-टाइप करें

 

 

प्रमाणपत्र

 

 

 

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लोकप्रिय टैग: 4H P-प्रकार SiC वेफर, चीन, आपूर्तिकर्ता, निर्माता, फैक्टरी, चीन में निर्मित

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