उत्पाद परिचय
P-प्रकार SiC सबस्ट्रेट्स को होमोएपिटैक्सियल विकास और अल्ट्रा{{1}हाई-वोल्टेज पावर सेमीकंडक्टर उपकरणों के विकास के लिए डिज़ाइन किया गया है। उत्कृष्ट विद्युत और तापीय विशेषताओं के साथ, यह उच्च प्रदर्शनSiC सब्सट्रेटअल्ट्रा{1}हाई{{2}वोल्टेज पावर ट्रांसमिशन और स्मार्ट ग्रिड इन्फ्रास्ट्रक्चर सहित, उच्च{0}पावर अनुप्रयोगों की मांग के लिए उपयुक्त है।
ये P-प्रकार के हैंSiC वेफर्सरेल ट्रांजिट, औद्योगिक बिजली प्रणालियों और अन्य उच्च {{0}शक्ति विद्युत उपकरणों में अनुप्रयोगों का भी समर्थन करता है जहां उच्च {{1}वोल्टेज क्षमता, विश्वसनीयता और कुशल बिजली रूपांतरण की आवश्यकता होती है।
विशेष विवरण

| 6 इंच | |
|---|---|
| व्यास | 150.0मिमी+0मिमी/-0.2मिमी |
| भूतल अभिविन्यास | 4 डिग्री की ओर<1120>±0.5 डिग्री |
| प्राथमिक समतल लंबाई | 47.5मिमी±1.5मिमी |
| प्राथमिक फ्लैट अभिविन्यास | <1120>±5.0 डिग्री |
| नॉच ओरिएंटेशन | / |
| पायदान कोण | / |
| पायदान गहराई | / |
| मोटाई | 350.0um±25.0um |
| बहुप्रकार | 4H |
| प्रकार | पी-टाइप करें |
| 8 इंच | |
|---|---|
| व्यास | 200.0मिमी+0मिमी/-0.2मिमी |
| भूतल अभिविन्यास | 4 डिग्री की ओर<1120>±0.5 डिग्री |
| प्राथमिक समतल लंबाई | निशान |
| प्राथमिक फ्लैट अभिविन्यास | / |
| नॉच ओरिएंटेशन | <1100>±1.0 डिग्री |
| पायदान कोण | 90 डिग्री +5 डिग्री/-1 डिग्री |
| पायदान गहराई | 1.0मिमी+0.25मिमी/-0मिमी |
| मोटाई | 350.0um±25.0um |
| बहुप्रकार | 4H |
| प्रकार | पी-टाइप करें |


| 12 इंच | |
|---|---|
| व्यास | 300.0मिमी±0.5मिमी |
| भूतल अभिविन्यास | 4 डिग्री की ओर<1120>±0.5 डिग्री |
| प्राथमिक समतल लंबाई | निशान |
| प्राथमिक फ्लैट अभिविन्यास | / |
| नॉच ओरिएंटेशन | <1100>±5.0 डिग्री |
| पायदान कोण | 90 डिग्री +5 डिग्री/-1 डिग्री |
| पायदान गहराई | 1.0मिमी+0.25मिमी/-0मिमी |
| मोटाई | 750.0um±25.0um |
| बहुप्रकार | 4H |
| प्रकार | पी-टाइप करें |
प्रमाणपत्र

लोकप्रिय टैग: 4H P-प्रकार SiC वेफर, चीन, आपूर्तिकर्ता, निर्माता, फैक्टरी, चीन में निर्मित










