उत्पाद परिचय
उन्नत पावर सेमीकंडक्टर विनिर्माण में होमोएपिटैक्सियल विकास के लिए एन - प्रकार के SiC सबस्ट्रेट्स को इंजीनियर किया गया है। बेहतर इलेक्ट्रिकल और थर्मल प्रदर्शन के साथ, यह उच्च प्रदर्शनSiC सब्सट्रेटइलेक्ट्रिक वाहनों, फोटोवोल्टिक प्रणालियों, पवन ऊर्जा, और अन्य नई ऊर्जा प्रौद्योगिकियों में उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।
उत्पाद श्रेणी में 6-इंच और 8-इंच शामिल हैंSiC वेफर्सबड़ी मात्रा में उत्पादन और वैश्विक आपूर्ति के लिए, अगली पीढ़ी के पावर सेमीकंडक्टर अनुप्रयोगों के लिए 12-इंच सब्सट्रेट उत्पादन क्षमता उपलब्ध है।
विशेष विवरण
| 6 इंच | |
|---|---|
| व्यास | 150.0मिमी+0मिमी/-0.2मिमी |
| भूतल अभिविन्यास | 4 डिग्री की ओर<1120>±0.5 डिग्री |
| प्राथमिक समतल लंबाई | 47.5 मिमी ±1.5 मिमी |
| प्राथमिक फ्लैट अभिविन्यास | <1120>±1.0 डिग्री |
| नॉच ओरिएंटेशन | / |
| पायदान कोण | / |
| पायदान गहराई | / |
| द्वितीयक फ़्लैट | N/A |
| मोटाई | 350.0um±25.0um |
| बहुप्रकार | 4H |
| प्रकार | n-प्रकार |
| 8 इंच | |
|---|---|
| व्यास | 200.0मिमी+0मिमी/-0.5मिमी |
| भूतल अभिविन्यास | 4 डिग्री की ओर<1120>±0.5 डिग्री |
| प्राथमिक समतल लंबाई | निशान |
| प्राथमिक फ्लैट अभिविन्यास | / |
| नॉच ओरिएंटेशन | <1100>±1.0 डिग्री |
| पायदान कोण | 90 डिग्री +5 डिग्री/-1 डिग्री |
| पायदान गहराई | 1.0मिमी+0.25मिमी/-0मिमी |
| द्वितीयक फ़्लैट | N/A |
| मोटाई | 500.0um±25.0um |
| बहुप्रकार | 4H |
| प्रकार | n-प्रकार |
| 12 इंच | |
|---|---|
| व्यास | 300.0मिमी+0मिमी/-0.5मिमी |
| भूतल अभिविन्यास | 4 डिग्री की ओर<1120>±0.5 डिग्री |
| प्राथमिक समतल लंबाई | निशान |
| प्राथमिक फ्लैट अभिविन्यास | / |
| नॉच ओरिएंटेशन | <1100>±5.0 डिग्री |
| पायदान कोण | 90 डिग्री +5 डिग्री/-1 डिग्री |
| पायदान गहराई | 1.0मिमी+0.25मिमी/-0मिमी |
| द्वितीयक फ़्लैट | N/A |
| मोटाई | 750.0um±25.0um |
| बहुप्रकार | 4H |
| प्रकार | n-प्रकार |
प्रमाणपत्र
लोकप्रिय टैग: 4एच एन-टाइप सिक सब्सट्रेट, चीन, आपूर्तिकर्ता, निर्माता, फैक्टरी, चीन में निर्मित
