पी टाइप फुल स्क्वायर मोनोक्रिस्टलाइन सोलर वेफर

पी टाइप फुल स्क्वायर मोनोक्रिस्टलाइन सोलर वेफर

एक पद्धति मोनोक्रिस्टलाइन वेफर में 125 मिमी से 156 मिमी तक चौड़ाई बढ़ाने के मार्ग का अनुसरण करना है, और मॉड्यूल के आकार में वृद्धि करना है, जैसे कि 158.75 मिमी छद्म वर्ग मोनोक्रिस्टलाइन वेफर या पूर्ण वर्ग मोनोक्रिस्टलाइन वेफर (वेफर डायमीटर 223 मिमी)। 158.75 मिमी पूर्ण वर्ग मोनोक्रिस्टलाइन वेफर (वेफर डिमामीटर 223 मिमी) एम 2 प्रारूप की तुलना में वेफर क्षेत्र को लगभग 3.1% बढ़ाता है, जो लगभग 10Wp द्वारा 60-सेल मॉड्यूल की शक्ति को बढ़ाता है।
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विवरण
तकनीकी पैरामीटर


158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


एक पद्धति यह है कि मोनोक्रिस्टलाइन वेफर की चौड़ाई को 125 मिमी से बढ़ाकर 156 मिमी करने के मार्ग का अनुसरण किया जाए, और मॉड्यूल के आकार को बढ़ाया जाए, जैसे कि 158.75 मिमी छद्म वर्ग।monocrystallineवेफर या पूर्ण वर्गmonocrystallineवेफर (वेफर dimameter 223mm)।158.75 मिमीपूर्ण वर्गmonocrystallineवेफर (वेफर डायमीटर 223mm) M2 प्रारूप की तुलना में वेफर क्षेत्र को लगभग 3.1% बढ़ा देता है, जिससे 60-सेल मॉड्यूल की शक्ति लगभग 10Wp बढ़ जाती है।


1 भौतिक विशेषताएं

संपत्ति

विनिर्देश

निरीक्षण विधि

विकास विधि

सीजेड


स्फटिकता

monocrystalline

तरजीही नक़्क़ाशी तकनीक(एएसटीएम F47-88)

चालकता प्रकार

पी-प्रकार

नैप्सन ईसी-८०टीपीएन

P/N

दोपंत

बोरॉन, गैलियम

-

ऑक्सीजन सांद्रता [Oi]

≦8ई+17 at/सेमी3

एफटीआईआर (एएसटीएम एफ121-83)

कार्बन सांद्रता [Cs]

≦5E+16 at/cm3

एफटीआईआर (एएसटीएम एफ123-91)

खोदना गड्ढे घनत्व (अव्यवस्था घनत्व)

≦500 सेमी-3

तरजीही नक़्क़ाशी तकनीक(एएसटीएम F47-88)

सतह उन्मुखीकरण

[जीजी] लेफ्टिनेंट; १०० [जीजी] जीटी; ± ३ डिग्री

एक्स-रे विवर्तन विधि (एएसटीएम F26-1987)

छद्म वर्गाकार भुजाओं का उन्मुखीकरण

[जीजी] लेफ्टिनेंट;010 [जीजी] जीटी;, [जीजी] लेफ्टिनेंट;001 [जीजी] जीटी;±3°

एक्स-रे विवर्तन विधि (एएसटीएम F26-1987)

2 विद्युत गुण

संपत्ति

विनिर्देश

निरीक्षण विधि

प्रतिरोधकता

0.5-1.5 सेमी

वेफर निरीक्षण प्रणाली

एमसीएलटी (अल्पसंख्यक वाहक जीवनकाल)

≧50 μs

सिंटन बीसीटी-400

(इंजेक्शन स्तर के साथ: 1E15 से। मी-3)

3ज्यामिति



संपत्ति

विनिर्देश

निरीक्षण विधि

ज्यामिति

पूर्ण वर्ग


वेफर साइड की लंबाई

158.75 ± 0.25 मिमी

वेफर निरीक्षण प्रणाली

वेफर व्यास

φ223 ± 0.25 मिमी

वेफर निरीक्षण प्रणाली

आसन्न भुजाओं के बीच का कोण

90° ± 0.2°

वेफर निरीक्षण प्रणाली

मोटाई

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

वेफर निरीक्षण प्रणाली

टीटीवी (कुल मोटाई भिन्नता)

≤27 µm

वेफर निरीक्षण प्रणाली



image

4 सतह के गुण

संपत्ति

विनिर्देश

निरीक्षण विधि

काटने की विधि

डीडब्ल्यू

--

सतही गुणवत्ता

जैसा कि कट और साफ किया गया है, कोई दृश्य संदूषण नहीं है, (तेल या ग्रीस, उंगलियों के निशान, साबुन के दाग, घोल के दाग, एपॉक्सी / गोंद के दाग की अनुमति नहीं है)

वेफर निरीक्षण प्रणाली

देखा निशान / कदम

≤ 15µm

वेफर निरीक्षण प्रणाली

धनुष

≤ 40 µm

वेफर निरीक्षण प्रणाली

ताना

≤ 40 µm

वेफर निरीक्षण प्रणाली

टुकड़ा

गहराई 0.3 मिमी और लंबाई ≤ 0.5 मिमी अधिकतम 2 / पीसी; कोई वी-चिप नहीं

नग्न आंखें या वेफर निरीक्षण प्रणाली

सूक्ष्म दरारें / छेद

अनुमति नहीं हैं

वेफर निरीक्षण प्रणाली




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