विवरण

तकनीकी पैरामीटर

158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2

P type monocrystalline wafer 1

P type monocrystalline wafer 2

210mmx210mm M12 मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन सोलर वेफर 295mm के व्यास के साथ M2 वेफर से 80.5% बड़ा है।

1 भौतिक विशेषताएं

संपत्ति	विनिर्देश	निरीक्षण विधि
विकास विधि	सीजेड
स्फटिकता	monocrystalline	तरजीही नक़्क़ाशी तकनीक（एएसटीएम F47-88）
चालकता प्रकार	पी-प्रकार	नैप्सन ईसी-८०टीपीएन P/N
दोपंत	बोरॉन, गैलियम	-
ऑक्सीजन सांद्रता [Oi]	≦8ई+17 at/सेमी³	एफटीआईआर (एएसटीएम एफ121-83)
कार्बन सांद्रता [Cs]	≦5E+16 at/cm³	एफटीआईआर (एएसटीएम एफ123-91)
खोदना गड्ढे घनत्व (अव्यवस्था घनत्व)	≦500 सेमी^-3	तरजीही नक़्क़ाशी तकनीक（एएसटीएम F47-88）
सतह उन्मुखीकरण	[जीजी] लेफ्टिनेंट; १०० [जीजी] जीटी; ± ३ डिग्री	एक्स-रे विवर्तन विधि (एएसटीएम F26-1987)
छद्म वर्गाकार भुजाओं का उन्मुखीकरण	[जीजी] लेफ्टिनेंट;010 [जीजी] जीटी;, [जीजी] लेफ्टिनेंट;001 [जीजी] जीटी;±3°	एक्स-रे विवर्तन विधि (एएसटीएम F26-1987)

2 विद्युत गुण

संपत्ति

विनिर्देश

निरीक्षण विधि

प्रतिरोधकता

0.5-1.5 सेमी

वेफर निरीक्षण प्रणाली

एमसीएलटी (अल्पसंख्यक वाहक जीवनकाल)

≧50 μs

सिंटन बीसीटी-400

(इंजेक्शन स्तर के साथ: 1E15 से। मी^-3)

3ज्यामिति

4 सतह के गुण

संपत्ति	विनिर्देश	निरीक्षण विधि
काटने की विधि	डीडब्ल्यू	--
सतही गुणवत्ता	जैसा कि कट और साफ किया गया है, कोई दृश्य संदूषण नहीं है, (तेल या ग्रीस, उंगलियों के निशान, साबुन के दाग, घोल के दाग, एपॉक्सी / गोंद के दाग की अनुमति नहीं है)	वेफर निरीक्षण प्रणाली
देखा निशान / कदम	≤ 15µm	वेफर निरीक्षण प्रणाली
धनुष	≤ 40 µm	वेफर निरीक्षण प्रणाली
ताना	≤ 40 µm	वेफर निरीक्षण प्रणाली
टुकड़ा	गहराई 0.3 मिमी और लंबाई ≤ 0.5 मिमी अधिकतम 2 / पीसी; कोई वी-चिप नहीं	नग्न आंखें या वेफर निरीक्षण प्रणाली
सूक्ष्म दरारें / छेद	अनुमति नहीं हैं	वेफर निरीक्षण प्रणाली

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