एन-टाइप M12 मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर एक बड़े छद्म वर्ग 210 × 210 मिमी प्रारूप (.295 मिमी व्यास) को अपनाता है, जो सक्रिय क्षेत्र को बढ़ाता है और उच्च दक्षता वाले पीवी मॉड्यूल के लिए बिजली उत्पादन को बढ़ाता है। सीजेड विधि का उपयोग करके और फास्फोरस के साथ डोप किया गया, यह एक विशेषता है<100>सतह अभिविन्यास, कम अव्यवस्था घनत्व (500 सेमी से कम या बराबर या बराबर), और एन-प्रकार की चालकता। 1.0-7.0 and · सेमी और अल्पसंख्यक वाहक जीवनकाल की एक प्रतिरोधकता सीमा के साथ 1000 µ से अधिक या उससे अधिक, यह उन्नत सौर सेल प्रौद्योगिकियों जैसे कि टॉपकॉन और HJT के लिए आदर्श है। M12 वेफर की अनुकूलित ज्यामिति और सतह की गुणवत्ता अगली पीढ़ी के उच्च-शक्ति मॉड्यूल में उत्कृष्ट प्रदर्शन सुनिश्चित करती है।
1। भौतिक गुण
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संपत्ति |
विनिर्देश |
निरीक्षण पद्धति |
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वृद्धि पद्धति |
सीजेड |
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स्फटिकता |
monocrystalline |
अधिमान्य ईच तकनीक(एएसटीएम एफ 47-88) |
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चालकता प्रकार |
N- प्रकार |
नेपसन EC-80TPN |
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डोपेंट |
फास्फोरस |
- |
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ऑक्सीजन एकाग्रता [OI] |
से कम या उसके बराबर8e +17 at/cm3 |
एफटीआईआर (एएसटीएम एफ 121-83) |
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कार्बन एकाग्रता [सीएस] |
से कम या उसके बराबर5e +16 at/cm3 |
एफटीआईआर (एएसटीएम एफ 123-91) |
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ईच गड्ढा घनत्व (अव्यवस्था घनत्व) |
से कम या उसके बराबर500 सेमी-2 |
अधिमान्य ईच तकनीक(एएसटीएम एफ 47-88) |
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सतह अभिविन्यास |
<100>± 3 डिग्री |
एक्स-रे विवर्तन विधि (एएसटीएम एफ 26-1987) |
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छद्म वर्ग पक्षों का उन्मुखीकरण |
<010>,<001>± 3 डिग्री |
एक्स-रे विवर्तन विधि (एएसटीएम एफ 26-1987) |
2. इलेक्ट्रिकल गुण
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संपत्ति |
विनिर्देश |
निरीक्षण पद्धति |
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प्रतिरोधकता |
1.0-7.0 ω.cm
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वेफर निरीक्षण प्रणाली |
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MCLT (अल्पसंख्यक वाहक जीवनकाल) |
1000 से अधिक या बराबर
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सिंटन बीसीटी -400 क्षणिक
(इंजेक्शन स्तर के साथ: 5e14 सेमी-3)
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3. जीओमेट्री
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संपत्ति |
विनिर्देश |
निरीक्षण पद्धति |
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ज्यामिति |
छद्म वर्ग |
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बेवेल एज शेप
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गोल | |
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वेफर साइड लंबाई |
210 ± 0.25 मिमी
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वेफर निरीक्षण प्रणाली |
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वफ़र व्यास |
φ295 ± 0.25 मिमी |
वेफर निरीक्षण प्रणाली |
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आसन्न पक्षों के बीच कोण |
90 डिग्री ± 0.2 डिग्री |
वेफर निरीक्षण प्रणाली |
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मोटाई |
180 ﹢ 20/﹣10 µm 175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
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वेफर निरीक्षण प्रणाली |
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टीटीवी (कुल मोटाई भिन्नता) |
से कम या उसके बराबर 27 µm |
वेफर निरीक्षण प्रणाली |
4.सतह गुण
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संपत्ति |
विनिर्देश |
निरीक्षण पद्धति |
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काटने की विधि |
डीडब्ल्यू |
-- |
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सतही गुणवत्ता |
कट और साफ किए जाने के रूप में, कोई दृश्य संदूषण, (तेल या ग्रीस, फिंगर प्रिंट, साबुन के दाग, घोल के दाग, एपॉक्सी/गोंद के दाग की अनुमति नहीं है) |
वेफर निरीक्षण प्रणाली |
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देखा निशान / चरण |
15 a से कम या बराबर |
वेफर निरीक्षण प्रणाली |
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झुकना |
40 माइक्रोन से कम या बराबर |
वेफर निरीक्षण प्रणाली |
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ताना |
40 माइक्रोन से कम या बराबर |
वेफर निरीक्षण प्रणाली |
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चिप |
0.3 मिमी से कम या बराबर गहराई और 0.5 मिमी अधिकतम 2/पीसी से कम या उससे कम लंबाई; कोई वी-चिप |
नग्न आंखें या वेफर निरीक्षण प्रणाली |
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सूक्ष्म दरारें / छेद |
अनुमति नहीं |
वेफर निरीक्षण प्रणाली |
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