उत्पाद परिचय
भौतिक गुण
| प्रधान विशिष्टताओं | 6" | 8" | 12" |
| वृद्धि पद्धति | सीजेड | सीजेड | सीजेड |
| व्यास (मिमी) | 150±0.5 | 200±0.5 | 300±0.5 |
| टाइप/डोपेंट: | पी/बोरान या एन/पीएच | पी/बोरान या एन/पीएच | पी/बोरान या एन/पीएच |
| मोटाई (μM) | 625±25/675±25 | 725±25 | 775±25 |
| प्रतिरोधकता | 1–100Ω | 1–100Ω | 1–100Ω |
| टीटीवी | 10um से कम या बराबर | 10um से कम या बराबर | 10um से कम या बराबर |
| झुकना | 40um से कम या बराबर | 40um से कम या बराबर | 40um से कम या बराबर |
| ताना | 40um से कम या बराबर | 40um से कम या बराबर | 40um से कम या बराबर |
| कण | 30ea से कम या बराबर@ से अधिक या 0.2um से अधिक या बराबर | 30ea से कम या बराबर@ से अधिक या 0.2um से अधिक या बराबर | 30ea से कम या बराबर@ से अधिक या 0.2um से अधिक या बराबर |
| फ्लैट/पायदान | फ्लैट्स/पायदान | फ्लैट्स/पायदान | निशान |
| सतह खत्म | के रूप में - कट/lapped/etched/ssp/dsp | के रूप में - कट/lapped/etched/ssp/dsp | के रूप में - कट/lapped/etched/ssp/dsp |
| स्वनिर्धारित विनिर्देश | |||
प्राइम वेफर्स को अर्धचालक डिवाइस निर्माण के लिए आवश्यक उच्चतम मानकों को पूरा करने के लिए निर्मित किया जाता है। टीटीवी, धनुष, ताना और कण स्तरों पर सख्त नियंत्रण के साथ, ये वेफर्स बेहतर सपाट और सतह की गुणवत्ता प्रदान करते हैं, जिससे उन्हें चिप उत्पादन और उन्नत प्रक्रिया विकास के लिए आदर्श बनाता है। चाहे बड़े - स्केल मैन्युफैक्चरिंग या सटीक आर एंड डी के लिए, प्राइम वेफर्स शीर्ष उपज और प्रदर्शन को प्राप्त करने के लिए आवश्यक स्थिरता प्रदान करते हैं।
उत्पाद की विशेषताएँ
उपलब्ध आकार:6 ", 8", और 12 "
विकास विधि:सीजेड (Czochralski) प्रक्रिया
व्यास सहिष्णुता:150, 0.5 मिमी, 200 ± 0.5 मिमी, 300, 0.5 मिमी
डोपिंग विकल्प:P - प्रकार (बोरॉन) या n - प्रकार (फॉस्फोरस)
मोटाई:625-775 माइक्रोन (वेफर आकार के आधार पर)
प्रतिरोधकता रेंज: 1–100 Ω
TTV:10 माइक्रोन से कम या बराबर
झुकना:40 माइक्रोन से कम या बराबर
ताना:40 माइक्रोन से कम या बराबर
कण स्तर:30 से कम या बराबर या 0.2 माइक्रोन से अधिक या बराबर
फ्लैट/पायदान विकल्प:फ्लैट या पायदान
सतह खत्म:के रूप में - कट, लैप्ड, etched, ssp, dsp
अनुकूलन योग्य:उपलब्ध विनिर्देशों
लोकप्रिय टैग: प्राइम वेफर, चीन, आपूर्तिकर्ता, निर्माता, कारखाना, चीन में बनाया गया
