【उत्पाद परिचय】 | |
सेल | मोनो 156.75mmx31.2mm उच्च दक्षता सौर सेल |
कोशिकाओं की संख्या | 408（34×12） |
रेटेड अधिकतम शक्ति (पीएमएक्स) | 405W |
जंक्शन बॉक्स | आईपी67 |
अधिकतम सिस्टम वोल्टेज | 1000 वी / 1500 वी डीसी (आईईसी) |
परिचालन तापमान | -40℃～+85℃ |
आयाम | 1941mm×1048mm×40mm |
वजन | 23 किग्रा ± 3% |
【उत्पाद वर्णन】
ओवरलैपिंग कट सेल 400W 405W सोलर पैनल।
अंतराल के कारण क्षेत्र की दक्षता में कमी से बचने के लिए और आसन्न सौर कोशिकाओं के सामने को पीछे से जोड़ने का एक आसान तरीका प्रदान करने के लिए, सौर पैनल एनकैप्सुलेशन में शिंगलिंग तकनीक लागू की गई थी। यह सौर पीवी तकनीक कोशिकाओं के बीच अतिरिक्त इंटरकनेक्टर्स से बचाती है और सौर पैनल की क्षेत्र दक्षता भी बढ़ाती है क्योंकि सौर पैनल का पूरा क्षेत्र सक्रिय सौर सामग्री से ढका जा सकता है।
एक सौर पैनल, जिसमें शामिल हैं: एक स्ट्रिंग दिशा के साथ एक स्ट्रिंग में विद्युत रूप से एक दूसरे से जुड़े सौर कोशिकाओं की बहुलता, प्रत्येक सौर सेल सौर सेल स्ट्रिप्स से बने होते हैं जो एक दूसरे के संबंध में एक शिंगल दिशा के साथ होते हैं, जिसमें शिंगल दिशा स्ट्रिंग दिशा के लंबवत है।
नए डिजाइन के एडहेसिव इंटरकनेक्शन का लचीलापन तापमान साइकलिंग परीक्षणों में थर्मल तनाव को कम करने में मदद करता है। आवश्यक कोई रिबन सूक्ष्म दरार क्षमता को कम करता है।
1 प्रमुख विशेषताएं
2 यांत्रिक आरेख
एसटीसी . पर 3 विद्युत पैरामीटर
रेटेड अधिकतम शक्ति (पीएमएक्स) [डब्ल्यू] | 390 | 395 | 400 | 405 |
ओपन सर्किट वोल्टेज (वीओसी) [वी] | 44.71 | 44.91 | 45.12 | 45.32 |
अधिकतम पावर वोल्टेज (वीएमपी) [वी] | 36.80 | 37.01 | 37.21 | 37.41 |
शॉर्ट सर्किट करंट (Isc) [A] | 11.16 | 11.24 | 11.33 | 11.41 |
अधिकतम पावर करंट (छोटा सा भूत) [ए] | 10.60 | 10.67 | 10.75 | 10.82 |
मॉड्यूल दक्षता [%] | 19.17 | 19.42 | 19.66 | 19.91 |
शक्ति सहनशीलता | 0~+5W | |||
Isc का तापमान गुणांक (α_Isc) | 0.05%/℃ | |||
वोक का तापमान गुणांक (β_Voc) | -0.275%/℃ | |||
Pmax का तापमान गुणांक (γ_Pmp) | -0.368%/℃ | |||
एसटीसी | विकिरण 1000W/m², सेल तापमान 25℃, AM1.5G | |||
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