166mmx166mm solar wafer 2

P type monocrystalline wafer 1

P type monocrystalline wafer 2

223mm के व्यास के साथ 166mmx166mm M6 मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन सोलर वेफर एम2 वेफर से 12.21% बड़ा है। तो M6 सब्सट्रेट से बने सौर कोशिकाओं में एम 2 सब्सट्रेट से बने 12.21% अधिक बिजली उत्पादन होगा।

1 सामग्री गुण

जायदाद	विस्‍तृत जानकारी	निरीक्षण विधि
विकास विधि	सीजेड
क्रिस्टलिनिटी	मोनोक्रिस्टलाइन	तरजीही Etch तकनीक（ASTM F47-88）
चालकता प्रकार	पी-प्रकार	नैपसन ईसी-80TPN P/N
डॉपैंट	बोरोन, गैलियम	-
ऑक्सीजन एकाग्रता [ओय]	≦8ई + 17 पर/सेमी³	FTIR (ASTM F121-83)
कार्बन एकाग्रता [सीएस]	≦5E + 16 पर/सेमी³	FTIR (ASTM F123-91)
Etch गड्ढे घनत्व (अव्यवस्था घनत्व)	≦500 सेमी^-3	तरजीही Etch तकनीक（ASTM F47-88）
सतह अभिविन्यास	<100>±3°	एक्स-रे विवर्तन विधि (ASTM F26-1987)
छद्म वर्ग पक्षों का अभिविन्यास	<010>,<001>±3°	एक्स-रे विवर्तन विधि (ASTM F26-1987)

2 विद्युत गुण

जायदाद

विस्‍तृत जानकारी

निरीक्षण विधि

प्रतिरोधकता

0.5-1.5ωcm

वेफर निरीक्षण प्रणाली

एमसीएलटी (अल्पसंख्यक वाहक जीवनकाल)

≧50 माइक्रोन

सिंटन बीसीटी-400

(इंजेक्शन स्तर के साथ: 1E15 सेंटीमीटर^-3)

3 रेखागणित

जायदाद	विस्‍तृत जानकारी	निरीक्षण विधि
रेखागणित	पूर्ण वर्ग
वेफर साइड लंबाई	166±0.25 मिमी	वेफर निरीक्षण प्रणाली
वेफर व्यास	φ223±0.25 मिमी	वेफर निरीक्षण प्रणाली
आसन्न पक्षों के बीच कोण	90° ± 0.2 डिग्री	वेफर निरीक्षण प्रणाली
सघनता	180﹢20/﹣10 माइक्रोन; 170﹢20/﹣10 माइक्रोन	वेफर निरीक्षण प्रणाली
टीटीवी (कुल मोटाई भिन्नता)	≤27 माइक्रोन	वेफर निरीक्षण प्रणाली

166mmx166mm M6 solar wafer

4 सतह गुण

जायदाद	विस्‍तृत जानकारी	निरीक्षण विधि
काटने की विधि	डीएसडब्ल्यू	--
सतह की गुणवत्ता	के रूप में कटौती और साफ, कोई दिखाई संदूषण, (तेल या तेल, फिंगर प्रिंट, साबुन दाग, घोल दाग, epoxy/	वेफर निरीक्षण प्रणाली
देखा निशान/कदम	≤ 15μm	वेफर निरीक्षण प्रणाली
गज	≤ 40 माइक्रोन	वेफर निरीक्षण प्रणाली
ताना	≤ 40 माइक्रोन	वेफर निरीक्षण प्रणाली
टुकडा	गहराई ≤0.3 मिमी और लंबाई ≤ 0.5 mm अधिकतम 2/pcs; कोई वी-चिप नहीं	नग्न आंखें या वेफर निरीक्षण प्रणाली
माइक्रो दरारें/छेद	अनुमति नहीं	वेफर निरीक्षण प्रणाली

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पी टाइप 166mm मोनोक्रिस्टलाइन सोलर वेफर

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