एन-टाइप एम 2 मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर स्पेसिफिकेशन

एन-टाइप एम 2 मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर स्पेसिफिकेशन
उत्पाद का परिचय:
एन-टाइप एम 2 मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर में गोल कोनों के साथ एक क्वासी-स्क्वायर 156.75 × 156.75 मिमी डिजाइन है, जो मानक मॉड्यूल लेआउट और अनुकूलित प्रकाश कैप्चर के साथ संगतता को संतुलित करता है। सीजेड विधि और फास्फोरस डोपिंग का उपयोग करके उत्पादित, यह उच्च सामग्री शुद्धता प्रदान करता है,<100>अभिविन्यास, और कम अव्यवस्था घनत्व (500 सेमी से कम या बराबर)। एन-टाइप चालकता के साथ, एक विस्तृत प्रतिरोधकता रेंज (0.2-12 rans · सेमी), और उच्च अल्पसंख्यक वाहक जीवनकाल (1000) के बराबर या उससे अधिक), यह उच्च दक्षता सेल प्रौद्योगिकियों जैसे कि टॉपकॉन और एचजेटी का समर्थन करता है। एम 2 वेफर मुख्यधारा के पीवी अनुप्रयोगों में स्थिर प्रदर्शन के लिए एक सिद्ध और विश्वसनीय प्रारूप बना हुआ है।
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विवरण
तकनीकी पैरामीटर

CZ silicon crystal growth

 

p-type-182mm-monocrystalline-solar-wafer12427330843

 

एन-टाइप एम 2 मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर में गोल कोनों के साथ एक क्वासी-स्क्वायर 156.75 × 156.75 मिमी डिजाइन है, जो मानक मॉड्यूल लेआउट और अनुकूलित प्रकाश कैप्चर के साथ संगतता को संतुलित करता है। सीजेड विधि और फास्फोरस डोपिंग का उपयोग करके उत्पादित, यह उच्च सामग्री शुद्धता प्रदान करता है,<100>अभिविन्यास, और कम अव्यवस्था घनत्व (500 सेमी से कम या बराबर)। एन-टाइप चालकता के साथ, एक विस्तृत प्रतिरोधकता रेंज (0.2-12 rans · सेमी), और उच्च अल्पसंख्यक वाहक जीवनकाल (1000) के बराबर या उससे अधिक), यह उच्च दक्षता सेल प्रौद्योगिकियों जैसे कि टॉपकॉन और एचजेटी का समर्थन करता है। एम 2 वेफर मुख्यधारा के पीवी अनुप्रयोगों में स्थिर प्रदर्शन के लिए एक सिद्ध और विश्वसनीय प्रारूप बना हुआ है।

 

1। भौतिक गुण

 

संपत्ति

विनिर्देश

निरीक्षण पद्धति

वृद्धि पद्धति

सीजेड

 

स्फटिकता

monocrystalline

अधिमान्य ईच तकनीक(एएसटीएम एफ 47-88)

चालकता प्रकार

N- प्रकार

नेपसन EC-80TPN

डोपेंट

फास्फोरस

-

ऑक्सीजन एकाग्रता [OI]

से कम या उसके बराबर8e +17 at/cm3

एफटीआईआर (एएसटीएम एफ 121-83)

कार्बन एकाग्रता [सीएस]

से कम या उसके बराबर5e +16 at/cm3

एफटीआईआर (एएसटीएम एफ 123-91)

ईच गड्ढा घनत्व (अव्यवस्था घनत्व)

से कम या उसके बराबर500 सेमी-2

अधिमान्य ईच तकनीक(एएसटीएम एफ 47-88)

सतह अभिविन्यास

<100>± 3 डिग्री

एक्स-रे विवर्तन विधि (एएसटीएम एफ 26-1987)

छद्म वर्ग पक्षों का उन्मुखीकरण

<010>,<001>± 3 डिग्री

एक्स-रे विवर्तन विधि (एएसटीएम एफ 26-1987)

 

2. इलेक्ट्रिकल गुण

 

संपत्ति

विनिर्देश

निरीक्षण पद्धति

प्रतिरोधकता

0.2-2.0 ω.cm
0.5-3.5 ω.cm
1.0-7.0 ω.cm
1.5-12 ω.cm
4-जांच प्रतिरोधकता
मापन

MCLT (अल्पसंख्यक वाहक जीवनकाल)

1000 µs के बराबर या बराबर (प्रतिरोधकता ω 1.0 ).cm)
500 µs से अधिक या बराबर (प्रतिरोधकता ω 1.0 resperction.cm
सिंटन बीसीटी -400
क्षणिक
(इंजेक्शन स्तर के साथ: 5e14 सेमी-3)

 

3. जीओमेट्री

 

संपत्ति

विनिर्देश

निरीक्षण पद्धति

ज्यामिति

क्वासी स्क्वायर
वर्नियर कैलिपर
व्यास
210 ± 0.25 मिमी
वर्नियर कैलिपर
फ्लैट से फ्लैट
156.75 ± 0.25 मिमी
वर्नियर कैलिपर
कोने की लंबाई
8.5 ± 0.5 मिमी
वाइड-सीट स्क्वायर/शासक
कोण की स्थिति

90 डिग्री ± 0.2 डिग्री

कोण शासक
कोने का आकार
गोलाकार
दृश्य निरीक्षण
लंबवत
0.8 मिमी से कम या बराबर
 

टीटीवी (कुल मोटाई भिन्नता)

से कम या उसके बराबर 27 µm

वेफर निरीक्षण प्रणाली

 

image 31

 

4.सतह गुण

 

संपत्ति

विनिर्देश

निरीक्षण पद्धति

सतह गुण
दाग, तेल, खरोंच, दरार, गड्ढे, टक्कर,
पिनहोल और ट्विन दोष नहीं हैं
अनुमत
दृश्य निरीक्षण
चिप
सतह चिप की अनुमति नहीं है;
Arris: चिप्स असंगत हैं:
Arris पर 10 से कम, DIA 0.3 मिमी से कम या बराबर;
शासक
सतह
विमान की सतह: आरए 0.6um से कम या बराबर;
Cambered सतह: RA 1.0um से कम या बराबर
सतह खुरदरापन मीटर

 

 

 

 

 

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