【उत्पाद परिचय】 | |
सेल | मोनो 156.75 मिमी एचजेटी बिफेशियल |
कोशिकाओं की संख्या | 60（6×10） |
रेटेड अधिकतम शक्ति (पीएमएक्स) | 320W |
जंक्शन बॉक्स | आईपी68 |
अधिकतम सिस्टम वोल्टेज | 1000 वी / 1500 वी डीसी (आईईसी) |
परिचालन तापमान | -40℃～+85℃ |
आयाम | 1658mm×992mm×5mm |
वजन | 20 किग्रा ± 3% |
【उत्पाद वर्णन】
अन्य अति उच्च दक्षता वाले सौर सेल की तुलना में, एचजेटी सौर सेल कम प्रक्रियाओं में निर्मित होता है।
इसलिए बिजली की स्तरीय लागत (एलसीओई) उपयोगिता पैमाने और वितरित बिजली प्रणालियों दोनों द्वारा उत्पादित बिजली की लागत के लिए प्राथमिक मीट्रिक में से एक है। एलसीओई को कम करने का सबसे तेज़ रास्ता हेटेरोजंक्शन टेक्नोलॉजी (एचजेटी) जैसी उच्च दक्षता वाले सौर सेल अवधारणाओं को पेश करना है।
Bifacial BIPV HJT सोलर पैनल 320W की उच्च शक्ति प्राप्त करता है।
2.0 मिमी टेम्पर्ड ग्लास के साथ कॉम्पैक्ट और हल्के दोहरे ग्लास मॉड्यूल को 2014 में सफलतापूर्वक विकसित किया गया था। अब, उच्च दक्षता वाले HJT सौर सेल के साथ 1.6 मिमी टेम्पर्ड ग्लास के साथ पतले, हल्के दोहरे ग्लास मॉड्यूल का उत्पादन किया जा सकता है।
1 प्रमुख विशेषताएं
2 यांत्रिक आरेख
एसटीसी . पर 3 विद्युत पैरामीटर
रेटेड अधिकतम शक्ति (पीएमएक्स) [डब्ल्यू] | 305 | 310 | 315 | 320 |
ओपन सर्किट वोल्टेज (वीओसी) [वी] | 39.85 | 40.15 | 40.46 | 40.86 |
अधिकतम पावर वोल्टेज (वीएमपी) [वी] | 33.23 | 33.59 | 33.92 | 34.25 |
शॉर्ट सर्किट करंट (Isc) [A] | 9.73 | 9.77 | 9.84 | 9.89 |
अधिकतम पावर करंट (छोटा सा भूत) [ए] | 9.18 | 9.23 | 9.29 | 9.35 |
मॉड्यूल दक्षता [%] | 18.5 | 18.8 | 19.2 | 19.5 |
शक्ति सहनशीलता | 0~+5W | |||
Isc का तापमान गुणांक (α_Isc) | 0.048%/℃ | |||
वोक का तापमान गुणांक (β_Voc) | -0.271%/℃ | |||
Pmax का तापमान गुणांक (γ_Pmp) | -0.336%/℃ | |||
एसटीसी | विकिरण 1000W/m², सेल तापमान 25℃, AM1.5G | |||
पतली फिल्म सौर कोशिकाओं, उपकरणों की अपेक्षाकृत उच्च लागत, लेकिन खपत और बैटरी की लागत बहुत कम है, लेकिन फोटोइलेक्ट्रिक रूपांतरण दक्षता क्रिस्टल सिलिकॉन कोशिकाओं के आधे से अधिक है, लेकिन कमजोर प्रकाश प्रभाव बहुत अच्छा है, साधारण प्रकाश में भी उत्पन्न हो सकता है बिजली, जैसे कैलकुलेटर सौर सेल।
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