【उत्पाद वर्णन】
एन-टाइप मोनो बाइफेशियल PERT (निष्क्रिय एमिटर रियर पूरी तरह से विसरित) सिलिकॉन सौर कोशिकाओं में उच्च और स्थिर रूपांतरण क्षमता होती है।
एन-टाइप सिलिकॉन सौर कोशिकाओं को पी-टाइप . के लिए आशाजनक विकल्प माना जाता हैसौर कोशिकाएंअगली पीढ़ी के लिए अत्यधिक कुशल सौर कोशिकाओं के लिए धन्यवाद प्रकाश-प्रेरित गिरावट का सामना करने की उनकी क्षमता और सामान्य धातु अशुद्धियों के प्रति उनकी उच्च सहनशीलता के लिए धन्यवाद।
उत्कृष्ट एमिटर जंक्शन गुणवत्ता और एकरूपता के लिए एकल-पक्षीय डोपिंग के लिए आयन इम्प्लांट का उपयोग करके प्रक्रिया प्रवाह के साथ n प्रकार के बाइफेशियल PERT सौर सेल का निर्माण किया जा सकता है, एक एकल थर्मल एनील, एकीकृत AlOx / SiNx निष्क्रियता परत और सामने और पीछे स्क्रीन मुद्रित एजी ग्रिड। .
【प्रक्रिया प्रवाह】
【प्रमुख विशेषताऐं】
उच्च विश्वसनीयता के साथ उच्च रूपांतरण दक्षता
कोई प्रकाश-प्रेरित गिरावट नहीं
स्थिर प्रक्रिया नियंत्रण के साथ समान सेल प्रदर्शन
दोनों पक्ष बिजली पैदा कर सकते हैं
कम विकिरण के तहत उत्कृष्ट बिजली उत्पादन प्रदर्शन
कम हॉट स्पॉट जोखिम
【तकनीकी डेटा】
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