एन टाइप सिलिकॉन सोलर सेल

सिलिकॉन हेटेरोजंक्शन टेक्नोलॉजी (HJT) एक एमिटर और बैक सरफेस फील्ड (BSF) पर आधारित है, जो 200 माइक्रोन से कम मोटाई वाले बहुत अच्छी तरह से साफ किए गए मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर्स के दोनों किनारों पर

210mm M12 सिलिकॉन हेटेरोजंक्शन टेक्नोलॉजी (HJT) सौर सेल 24.4 प्रतिशत दक्षता और 10.76 वाट प्रति सेल की रेटेड शक्ति के साथ है।

सिलिकॉन हेटेरोजंक्शन टेक्नोलॉजी (HJT) एक एमिटर और बैक सरफेस फील्ड (BSF) पर आधारित है, जो बहुत अच्छी तरह से साफ किए गए मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर्स के दोनों किनारों पर अनाकार सिलिकॉन (a-Si:H) की

टॉपकॉन (सुरंग ऑक्साइड निष्क्रिय संपर्क) प्रौद्योगिकी 25 प्रतिशत तक एन टाइप सौर सेल दक्षता को बढ़ावा देती है। औद्योगिक 210 मिमी टॉपकॉन सौर सेल अधिकतम 24.4 प्रतिशत दक्षता और 10.76 वाट रेटेड पावर के साथ

टॉपकॉन (सुरंग ऑक्साइड निष्क्रिय संपर्क) प्रौद्योगिकी 24.5% तक एन प्रकार सौर सेल दक्षता को बढ़ाती है। मोनोक्रिस्टलाइन एन प्रकार 182 मिमी टॉपकॉन सौर सेल 24.5% दक्षता पर रेटेड शक्ति 8.08 वाट के साथ है।

PERT प्रौद्योगिकी से उन्नत, TOPCON (सुरंग ऑक्साइड पासिवेटेड कॉन्टैक्ट) तकनीक, AlOx / SiNx पैसिवेशन लेयर के साथ संयुक्त N टाइप 166mm सोलर सेल दक्षता को 24.4% तक बढ़ा देती है। मोनोक्रिस्टलाइन N टाइप

एन-प्रकार मोनो बिफेशियल पेरेट (पासीवेटेड उत्सर्जक रियर पूरी तरह से विसरित) सिलिकॉन सौर कोशिकाओं में उच्च और स्थिर रूपांतरण क्षमता होती है।एन प्रकार के बिफेशियल पर्ट सौर सेल को उत्कृष्ट उत्सर्जक

एन-टाइप मोनो बाइफेशियल PERT (निष्क्रिय एमिटर रियर पूरी तरह से विसरित) सिलिकॉन सौर कोशिकाओं में उच्च और स्थिर रूपांतरण क्षमता होती है। एन-टाइप सिलिकॉन सौर कोशिकाओं को अगली पीढ़ी के अत्यधिक कुशल सौर

इंटरडिजिलाइज्ड बैक कॉन्टैक्ट (आईबीसी) सेल स्ट्रक्चर में उत्सर्जक और संपर्क दोनों वेफर के पीछे की ओर होते हैं जो उत्सर्जक और संपर्कों के इलेक्ट्रॉनिक गुणों के लिए ऑप्टिकल गुणों और पीछे की सतह के लिए

एन-टाइप मोनो बाइफेशियल PERT (निष्क्रिय एमिटर रियर पूरी तरह से विसरित) सिलिकॉन सौर कोशिकाओं में उच्च और स्थिर रूपांतरण क्षमता होती है। एन-टाइप सिलिकॉन सौर कोशिकाओं को अगली पीढ़ी के अत्यधिक कुशल सौर