【उत्पाद परिचय】 | |
सेल | मोनो 156.75mmx31.2mm उच्च दक्षता सौर सेल |
कोशिकाओं की संख्या | 408(34×12) |
रेटेड अधिकतम शक्ति (पीएमएक्स) | 405W |
जंक्शन बॉक्स | आईपी67 |
अधिकतम सिस्टम वोल्टेज | 1000 वी / 1500 वी डीसी (आईईसी) |
परिचालन तापमान | -40℃~+85℃ |
आयाम | 1941mm×1048mm×40mm |
वजन | 23 किग्रा ± 3% |
【उत्पाद वर्णन】
405W ग्रहण मोनोक्रिस्टलाइन सौर पैनल।
दाद तकनीक 1960 के दशक में विकसित की गई थी। सबसे पहले सिलिकॉन सौर सेल की लागत में भारी गिरावट और प्रवाहकीय गोंद की सफल प्राप्ति के साथ, हालांकि, प्रौद्योगिकी की बाजार की तैयारी तक पहुंच गई थी।
शिंगल मॉड्यूल की बाजार में मांग उनकी उच्च दक्षता और मनभावन सौंदर्यशास्त्र के कारण तेजी से बढ़ रही है। सेल कंडक्टिवस्ट्रिंगर अद्वितीय और विश्वसनीय है जो इस अत्यधिक कुशल मॉड्यूल के प्रोटोटाइप उत्पादन के लिए संभावनाओं की एक विस्तृत श्रृंखला प्रदान करता है।
सौंदर्यशास्त्र और उच्च शक्ति घनत्व ने विशेष रूप से मोटर वाहन उद्योग में और एकीकृत पीवी अनुप्रयोगों के निर्माण के लिए शिंगल प्रौद्योगिकी को आगे बढ़ाया है। शीर्ष मॉड्यूल निर्माता शिंगल सौर कोशिकाओं के लिए अनुप्रयोग-उन्मुख विकास और प्रौद्योगिकी आकलन के बारे में तेजी से पूछताछ करते हैं।"
1 प्रमुख विशेषताएं
2 यांत्रिक आरेख
एसटीसी . पर 3 विद्युत पैरामीटर
रेटेड अधिकतम शक्ति (पीएमएक्स) [डब्ल्यू] | 390 | 395 | 400 | 405 |
ओपन सर्किट वोल्टेज (वीओसी) [वी] | 44.71 | 44.91 | 45.12 | 45.32 |
अधिकतम पावर वोल्टेज (वीएमपी) [वी] | 36.80 | 37.01 | 37.21 | 37.41 |
शॉर्ट सर्किट करंट (Isc) [A] | 11.16 | 11.24 | 11.33 | 11.41 |
अधिकतम पावर करंट (छोटा सा भूत) [ए] | 10.60 | 10.67 | 10.75 | 10.82 |
मॉड्यूल दक्षता [%] | 19.17 | 19.42 | 19.66 | 19.91 |
शक्ति सहनशीलता | 0~+5W | |||
Isc का तापमान गुणांक (α_Isc) | 0.05%/℃ | |||
वोक का तापमान गुणांक (β_Voc) | -0.275%/℃ | |||
Pmax का तापमान गुणांक (γ_Pmp) | -0.368%/℃ | |||
एसटीसी | विकिरण 1000W/m², सेल तापमान 25℃, AM1.5G |
सौर फोटोवोल्टिक प्रणाली, जिसे फोटोवोल्टिक भी कहा जाता है, फोटोवोल्टिक अर्धचालक सामग्री के फोटोवोल्टिक प्रभाव और सौर ऊर्जा को प्रत्यक्ष वर्तमान सुविधाओं में संदर्भित करता है।
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