【उत्पाद परिचय】 | |
सेल | मोनो 156.75 मिमी एचजेटी बिफेशियल |
कोशिकाओं की संख्या | 60(6×10) |
रेटेड अधिकतम शक्ति (पीएमएक्स) | 320W |
जंक्शन बॉक्स | आईपी68 |
अधिकतम सिस्टम वोल्टेज | 1000 वी / 1500 वी डीसी (आईईसी) |
परिचालन तापमान | -40℃~+85℃ |
आयाम | 1658mm×992mm×5mm |
वजन | 20 किग्रा ± 3% |
【उत्पाद वर्णन】
नया बिफेशियल एचजेटी मॉड्यूल लगभग 23% की रूपांतरण क्षमता वाले सौर कोशिकाओं का उपयोग करना है, जिसमें कमजोर रोशनी में उत्कृष्ट प्रदर्शन, -0.33% / ℃ की अग्रणी बिजली तापमान गुणांक, और एन-टाइप सिलिकॉन वेफर सबस्ट्रेट्स के साथ अल्ट्रा-लो डिग्रेडेशन शामिल है। बैक-साइड सेल में प्रकाश को परावर्तित करने वाली अल्बेडो सतह के आधार पर, द्विभाजितता के कारण मॉड्यूल को 8% -20% के बीच दक्षता लाभ से भी लाभ होता है।
Bifacial BIPV HJT सोलर पैनल 320W की उच्च शक्ति प्राप्त करता है।
सामग्री और संरचना विशेषताओं के कारण, दोहरे ग्लास मॉड्यूल मौलिक रूप से पीआईडी, कोशिकाओं की सूक्ष्म दरारें और घोंघे के निशान जैसे दोषों से बचते हैं, जो निवेश लागत, परिवहन लागत और बिजली संयंत्रों के संचालन जोखिम आदि को कम कर सकते हैं।
1 प्रमुख विशेषताएं
2 यांत्रिक आरेख
एसटीसी . पर 3 विद्युत पैरामीटर
रेटेड अधिकतम शक्ति (पीएमएक्स) [डब्ल्यू] | 305 | 310 | 315 | 320 |
ओपन सर्किट वोल्टेज (वीओसी) [वी] | 39.85 | 40.15 | 40.46 | 40.86 |
अधिकतम पावर वोल्टेज (वीएमपी) [वी] | 33.23 | 33.59 | 33.92 | 34.25 |
शॉर्ट सर्किट करंट (Isc) [A] | 9.73 | 9.77 | 9.84 | 9.89 |
अधिकतम पावर करंट (छोटा सा भूत) [ए] | 9.18 | 9.23 | 9.29 | 9.35 |
मॉड्यूल दक्षता [%] | 18.5 | 18.8 | 19.2 | 19.5 |
शक्ति सहनशीलता | 0~+5W | |||
Isc का तापमान गुणांक (α_Isc) | 0.048%/℃ | |||
वोक का तापमान गुणांक (β_Voc) | -0.271%/℃ | |||
Pmax का तापमान गुणांक (γ_Pmp) | -0.336%/℃ | |||
एसटीसी | विकिरण 1000W/m², सेल तापमान 25℃, AM1.5G |
सौर फोटोवोल्टिक प्रणाली, जिसे फोटोवोल्टिक भी कहा जाता है, फोटोवोल्टिक अर्धचालक सामग्री के फोटोवोल्टिक प्रभाव और सौर ऊर्जा को प्रत्यक्ष वर्तमान सुविधाओं में संदर्भित करता है। फोटोवोल्टिक सुविधा के मूल में सौर पैनल हैं। वर्तमान में, बिजली उत्पादन के लिए उपयोग की जाने वाली मुख्य अर्धचालक सामग्री मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन, पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन, अनाकार सिलिकॉन और कैडमियम टेल्यूराइड आदि हैं।
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