335W ग्रहण सौर पैनल

335W ग्रहण सौर पैनल
उत्पाद का परिचय:
सौर कोशिकाओं को दबाने से, कोशिकाओं के बीच की जगह कम हो जाती है, जिससे प्रत्येक पैनल पर अधिक कोशिकाओं को व्यवस्थित किया जा सकता है। नतीजतन, पैनल के करीब 100% सौर कोशिकाओं के साथ कवर किया गया है। नए डिजाइन किए गए सौर मॉड्यूल दक्षता और विश्वसनीयता को बढ़ावा देते हैं, लेकिन एक ही समय में बीओएस लागत को कम करते हैं, एक सुरुचिपूर्ण समाधान प्रदान करते हैं जो दक्षता और सौंदर्यशास्त्र दोनों में सुधार करता है। चिपकने वाला लचीलापन नए डिजाइन का इंटरकनेक्शन तापमान साइकिलिंग परीक्षणों में थर्मल तनाव को कम करने में मदद करता है। कोई रिबन आवश्यक नहीं है जो सूक्ष्म दरार क्षमता को कम करता है। नए डिजाइन सौर मॉड्यूल के लिए 5-10% अधिक मॉड्यूल शक्ति लाभ है जो प्रवाहकीय पेस्ट के अनुप्रयोग का परिणाम है जो उपन्यास इंटरकनेक्शन प्रौद्योगिकियों को सक्षम बनाता है।
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विवरण
तकनीकी पैरामीटर

【उत्पाद परिचय】


सेल

मोनो 156.75mmx31.2mm उच्च दक्षता सौर सेल

कोशिकाओं की संख्या

340(34×10)

रेटेड अधिकतम शक्ति (पीएमएक्स)

335W

जंक्शन बॉक्स

आईपी67

अधिकतम सिस्टम वोल्टेज

1000 वी / 1500 वी डीसी (आईईसी)

परिचालन तापमान

-40℃~+85℃

आयाम

1623mm×1048mm×35mm

वजन

18.5 किग्रा ± 3%

【उत्पाद वर्णन】


सौर कोशिकाओं को दबाने से, कोशिकाओं के बीच की जगह कम हो जाती है, जिससे प्रत्येक पैनल पर अधिक कोशिकाओं को व्यवस्थित किया जा सकता है। नतीजतन, पैनल के करीब 100% सौर कोशिकाओं के साथ कवर किया गया है।

नया डिज़ाइन किया गया शिंगल सौर मॉड्यूल दक्षता और विश्वसनीयता को बढ़ाता है, लेकिन साथ ही साथ बीओएस लागत को कम करता है, एक सुरुचिपूर्ण समाधान प्रदान करता है जो दक्षता और सौंदर्यशास्त्र दोनों में सुधार करता है।

नए डिजाइन के एडहेसिव इंटरकनेक्शन का लचीलापन तापमान साइकलिंग परीक्षणों में थर्मल तनाव को कम करने में मदद करता है। आवश्यक कोई रिबन सूक्ष्म दरार क्षमता को कम करता है।

5-10% अधिक मॉड्यूल शक्ति नए डिजाइन सौर मॉड्यूल के लिए लाभ है जो प्रवाहकीय पेस्ट के अनुप्रयोग का परिणाम है जो उपन्यास इंटरकनेक्शन प्रौद्योगिकियों को सक्षम बनाता है।

1 प्रमुख विशेषताएं

120


2 यांत्रिक आरेख

120  1

एसटीसी . पर 3 विद्युत पैरामीटर

रेटेड अधिकतम शक्ति (पीएमएक्स) [डब्ल्यू]

320

325

330

335

ओपन सर्किट वोल्टेज (वीओसी) [वी]

44.46

44.71

44.91

45.16

अधिकतम पावर वोल्टेज (वीएमपी) [वी]

36.41

36.61

36.80

37.06

शॉर्ट सर्किट करंट (Isc) [A]

9.22

9.30

9.40

9.48

अधिकतम पावर करंट (छोटा सा भूत) [ए]

8.80

8.87

8.96

9.04

मॉड्यूल दक्षता [%]

18.81

19.11

19.40

19.70

शक्ति सहनशीलता

0~+5W

Isc का तापमान गुणांक (α_Isc)

0.05%/℃

वोक का तापमान गुणांक (β_Voc)

-0.275%/℃

Pmax का तापमान गुणांक (γ_Pmp)

-0.368%/℃

एसटीसी

विकिरण 1000W/m², सेल तापमान 25℃, AM1.5G

मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन में हीरे की क्रिस्टल जाली होती है, क्रिस्टल कठोर और भंगुर होता है, इसमें धातु की चमक होती है, बिजली का संचालन कर सकता है, लेकिन चालकता धातु से नीच होती है, और तापमान बढ़ने के साथ बढ़ती है, अर्धचालक गुण होता है। मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन एक महत्वपूर्ण अर्धचालक पदार्थ है। समूह IIIA के ट्रेस तत्वों को मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन में शामिल करने से पी-टाइप सेमीकंडक्टर बन सकता है, और ग्रुप वीए के ट्रेस तत्वों को शामिल करने से एन-टाइप, एन-टाइप और पी-टाइप सेमीकंडक्टर एक साथ बन सकते हैं, जिसे सौर सेल और टर्न में बनाया जा सकता है। दीप्तिमान ऊर्जा को विद्युत ऊर्जा में।

 

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